RAM: Unterschied zwischen den Versionen
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| + | Im Arbeitsspeicher werden vom Prozessor zu verarbeitende Daten zwischengespeichert. Im Gegensatz zu einer Festplatte, welche diese Aufgabe theoretisch ebenfalls übernehmen könnte, gehen hier jedoch die Daten nach entfernen der Stromversorgung verloren. Man spricht hier auch von flüchtigem Speicher. Dafür erreicht jedoch Arbeitsspeicher eine wesentlich höhere Geschwindigkeit. | ||
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| + | Der RAM (Random Access Memory) ist ein Speichertyp, der aus einzellnen Zellen besteht und zufällig beschrieben wird. Diese Speicherzellen werden durch eine Speicheraddresse angesprochen und können so Informationen aufnehmen. | ||
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| − | * '''DDR RAM''' erkennt man unten an dem einen Zacken unten ,man erkennt es auch an den zwei Zacken auf der Seite.Der Abstand beträgt von der linken bis zur Kerbe exact 7,2cm | + | * '''SDRAM''' (Synchronous Dynamic Random Access Memory) erkennt man unten an den zwei Zacken.Bis zum ersten Zacken beträgt es genau 2cm.Vom ersten Zacken bis zur Kerbe beträgt es 4cm. |
| − | + | * '''DDR (SD-)RAM''' (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) erkennt man unten an dem einen Zacken unten ,man erkennt es auch an den zwei Zacken auf der Seite.Der Abstand beträgt von der linken bis zur Kerbe exact 7,2cm. | |
| − | * '''DDR2 RAM''' erkennt man an den zwei Zacken an der Seite.Man erkennt es auch an dem:Von der liken Seite bis zur Kerbe sind es 7cm. | + | * '''DDR2 (SD-)RAM''' erkennt man an den zwei Zacken an der Seite.Man erkennt es auch an dem:Von der liken Seite bis zur Kerbe sind es 7cm. |
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| − | * '''DDR4 RAM''' erkennt man an dem:Von der linken Seite bis zur Kerbe sind es 7,1cm. | + | * '''DDR4 (SD-)RAM''' erkennt man an dem:Von der linken Seite bis zur Kerbe sind es 7,1cm. |
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| + | *'''CAS:''' Der Parameter Column Address Select wird bei der Adressierung der Speicherzelle für die Spalte übertragen. Die angegebene Kennziffer gibt dabei die Anzahl der Taktzyklen (Verzögerungszeit) an, die vom Absenden bis zur Umsetzung des Befehls benötigt werden. | ||
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| + | *'''TRCD:''' Der Parameter Time Row-to-Column Delay beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung der Wortleitung verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando gesendet werden darf. | ||
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| + | *'''TRP:''' Der Parameter Time Row Precharge beschreibt die Zeit, die nach dem Kommando Vorladen (PreCharge) als Minimum verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf. | ||
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| + | *'''tRAS:''' Das time Row Access Strobe Signal adressiert dabei die Zeile der Speicherzelle und die Kennziffer gibt dabei an, wie viele Taktzyklen dafür verstrichen sein müssen, bevor das Kommando zum Deaktivieren der Zeile gesendet werden darf. | ||
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| + | *Latenzzeit (in ns) = ( 2 * Timing ) / effektive Takt * 1000 | ||
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| + | *DDR2-667 CL 4-4-4-12 | ||
| + | **CAS: Latenzzeit = ( 2 * 4 ) / 667 MHz * 1000 = 11,99ns ~ 12ns | ||
| + | **TRCD: Latenzzeit = ( 2 * 4 ) / 667 MHz * 1000 = 11,99ns ~ 12ns | ||
| + | **TRP: Latenzzeit = ( 2 * 4 ) / 667 MHz * 1000 = 11,99ns ~ 12ns | ||
| + | **tRAS: Latenzzeit = ( 2 * 12 ) / 667 MHz * 1000 = 35,98ns ~ 36ns | ||
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| + | *DDR3-1600 CL 8-8-8-24 | ||
| + | **CAS: Latenzzeit = ( 2 * 8 ) / 1600 MHz * 1000 = 10ns | ||
| + | **TRCD: Latenzzeit = ( 2 * 8 ) / 1600 MHz * 1000 = 10ns | ||
| + | **TRP: Latenzzeit = ( 2 * 8 ) / 1600 MHz * 1000 = 10ns | ||
| + | **tRAS: Latenzzeit = ( 2 * 24 ) / 1600 MHz * 1000 = 30ns | ||
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=links= | =links= | ||
*https://de.wikipedia.org/wiki/DDR-SDRAM#Berechnung_Speichertransferrate | *https://de.wikipedia.org/wiki/DDR-SDRAM#Berechnung_Speichertransferrate | ||
Version vom 13. Februar 2018, 10:00 Uhr
Definitionen
Arbeitsspeicher
Im Arbeitsspeicher werden vom Prozessor zu verarbeitende Daten zwischengespeichert. Im Gegensatz zu einer Festplatte, welche diese Aufgabe theoretisch ebenfalls übernehmen könnte, gehen hier jedoch die Daten nach entfernen der Stromversorgung verloren. Man spricht hier auch von flüchtigem Speicher. Dafür erreicht jedoch Arbeitsspeicher eine wesentlich höhere Geschwindigkeit.
RAM
Der RAM (Random Access Memory) ist ein Speichertyp, der aus einzellnen Zellen besteht und zufällig beschrieben wird. Diese Speicherzellen werden durch eine Speicheraddresse angesprochen und können so Informationen aufnehmen.
Arten von RAM
- SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) erkennt man unten an den zwei Zacken.Bis zum ersten Zacken beträgt es genau 2cm.Vom ersten Zacken bis zur Kerbe beträgt es 4cm.
- DDR (SD-)RAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) erkennt man unten an dem einen Zacken unten ,man erkennt es auch an den zwei Zacken auf der Seite.Der Abstand beträgt von der linken bis zur Kerbe exact 7,2cm.
- DDR2 (SD-)RAM erkennt man an den zwei Zacken an der Seite.Man erkennt es auch an dem:Von der liken Seite bis zur Kerbe sind es 7cm.
- DDR3 (SD-)RAM erkennt man an dem:Von der linken Seite bis zur Kerbe sind es 5,5cm.
- DDR4 (SD-)RAM erkennt man an dem:Von der linken Seite bis zur Kerbe sind es 7,1cm.
Latenzzeiten
- CAS: Der Parameter Column Address Select wird bei der Adressierung der Speicherzelle für die Spalte übertragen. Die angegebene Kennziffer gibt dabei die Anzahl der Taktzyklen (Verzögerungszeit) an, die vom Absenden bis zur Umsetzung des Befehls benötigt werden.
- TRCD: Der Parameter Time Row-to-Column Delay beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung der Wortleitung verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando gesendet werden darf.
- TRP: Der Parameter Time Row Precharge beschreibt die Zeit, die nach dem Kommando Vorladen (PreCharge) als Minimum verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf.
- tRAS: Das time Row Access Strobe Signal adressiert dabei die Zeile der Speicherzelle und die Kennziffer gibt dabei an, wie viele Taktzyklen dafür verstrichen sein müssen, bevor das Kommando zum Deaktivieren der Zeile gesendet werden darf.
Berechnung
- Latenzzeit (in ns) = ( 2 * Timing ) / effektive Takt * 1000
Beispiele
- DDR2-667 CL 4-4-4-12
- CAS: Latenzzeit = ( 2 * 4 ) / 667 MHz * 1000 = 11,99ns ~ 12ns
- TRCD: Latenzzeit = ( 2 * 4 ) / 667 MHz * 1000 = 11,99ns ~ 12ns
- TRP: Latenzzeit = ( 2 * 4 ) / 667 MHz * 1000 = 11,99ns ~ 12ns
- tRAS: Latenzzeit = ( 2 * 12 ) / 667 MHz * 1000 = 35,98ns ~ 36ns
- DDR3-1600 CL 8-8-8-24
- CAS: Latenzzeit = ( 2 * 8 ) / 1600 MHz * 1000 = 10ns
- TRCD: Latenzzeit = ( 2 * 8 ) / 1600 MHz * 1000 = 10ns
- TRP: Latenzzeit = ( 2 * 8 ) / 1600 MHz * 1000 = 10ns
- tRAS: Latenzzeit = ( 2 * 24 ) / 1600 MHz * 1000 = 30ns